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10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)

[10a-N105-5]Influence of Point Defects on the Electronic Structure of β-Ga₂O₃

〇Takahiro Kawamura¹, Toru Akiyama¹, Akira Kusaba², Yoshihiro Kangawa² (1.Mie Univ., 2.RIAM, Kyushu Univ.)

gallium oxide,first-principles calculation

本研究では，第一原理計算を用いて，β-Ga₂O₃中の点欠陥が電子構造に与える影響について検討を行った。O(II)サイトにNを導入した欠陥構造では、フェルミレベルと価電子帯上端付近にN不純物に由来するエネルギー準位が現れ，これに伴って価電子帯上端のバンド構造にも変化が見られた。