[10a-N105-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

10:00 〜 10:15

[10a-N105-5] β-Ga₂O₃中の点欠陥による電子構造への影響

〇河村 貴宏¹、秋山 亨¹、草場 彰²、寒川 義裕² (1.三重大院工、2.九大応力研)

キーワード：

酸化ガリウム、第一原理計算

本研究では，第一原理計算を用いて，β-Ga₂O₃中の点欠陥が電子構造に与える影響について検討を行った。O(II)サイトにNを導入した欠陥構造では、フェルミレベルと価電子帯上端付近にN不純物に由来するエネルギー準位が現れ，これに伴って価電子帯上端のバンド構造にも変化が見られた。