[10a-N301-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10a-N301-5] Dependence of In-containing under layer with green active layer on GaN substrates

〇Yoshito Ando¹, Atsunori Tokushi¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹, Kentaro Nonaka², Yoshitaka Kuraoka², Takashi Yoshino² (1.Meijo Univ., 2.NGK Insulators, LTD)

Keywords:

underlaye,GaInN quantum well active layer

GaNの高温成長に伴う点欠陥は、活性層への偏析により発光特性を劣化させることが知られている。これに対し、活性層直下にIn含有層を挿入することで、欠陥の伝搬の抑制が可能であることが報告されている。本研究室において、紫色LEDにおける下地層導入の効果は報告しているが、緑色活性層におけるInNモル分率依存性の系統的検討は少ない。本研究では、緑色活性層にGaInN下地層を導入し、下地層のInNモル分率依存性を評価した。