講演情報
[10a-N301-5]GaN基板上窒化物緑色活性層におけるInを有する下地層依存性
〇安藤 嘉太1、禿子 温教1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、野中 健太郎2、倉岡 義孝2、吉野 隆史2 (1.名城大理工、2.日本ガイシ(株))
キーワード：
下地層、GaInN量子井戸活性層
GaNの高温成長に伴う点欠陥は、活性層への偏析により発光特性を劣化させることが知られている。これに対し、活性層直下にIn含有層を挿入することで、欠陥の伝搬の抑制が可能であることが報告されている。本研究室において、紫色LEDにおける下地層導入の効果は報告しているが、緑色活性層におけるInNモル分率依存性の系統的検討は少ない。本研究では、緑色活性層にGaInN下地層を導入し、下地層のInNモル分率依存性を評価した。