Presentation Information
[10a-N301-7]Impact of under-via n-type layer thickness on the electrical characteristics of step-free GaInN stacked monolithic μLED arrays
〇Koko Fukushima1, Yuki Shimizu1, Keisuke Takeya1, Yoshinobu Suehiro1, Satoshi Kamiyama1, Tetsuya Takeuchi1, Motoaki Iwaya1 (1.Meijo Univ.)
Keywords:
LED,GaInN,monolithic micro LED array
モノリシックμLEDアレイは、高集積化および高輝度化が可能であることからVR/ARへの応用が期待されているが、従来のLED構造では、アノードおよびカソードメサ間に数μmの 段差が存在し、駆動回路への実装が困難であった。そこで我々は「段差フリー」と呼ばれる新構造を提案し、そのデバイス化に成功した。この構造では、アノードから注入された電流がビアを介して低抵抗なn型層内で拡散する設計となっている。そのため、n型層膜厚が電流拡散に影響を与えると考えられる。本報告では、アノードビア直下のn型層膜厚を変化させたデバイスを作製し、その膜厚がデバイス特性に与える影響について検討した。