講演情報
[10a-N301-7]段差フリーGaInN系積層型モノリシックμLEDアレイにおけるアノードビア直下のn型層膜厚がデバイス特性に与える影響
〇福島 瑚子1、清水 優輝1、竹谷 圭右1、末広 好伸1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大)
キーワード：
LED、GaInN、モノリシックμLEDアレイ
モノリシックμLEDアレイは、高集積化および高輝度化が可能であることからVR/ARへの応用が期待されているが、従来のLED構造では、アノードおよびカソードメサ間に数μmの 段差が存在し、駆動回路への実装が困難であった。そこで我々は「段差フリー」と呼ばれる新構造を提案し、そのデバイス化に成功した。この構造では、アノードから注入された電流がビアを介して低抵抗なn型層内で拡散する設計となっている。そのため、n型層膜厚が電流拡散に影響を与えると考えられる。本報告では、アノードビア直下のn型層膜厚を変化させたデバイスを作製し、その膜厚がデバイス特性に与える影響について検討した。