Presentation Information
[10a-N302-6]Application of VPG-VBG Mapping to Analyze Device Characteristics of Silicon Fin-Type Quantum Dots
〇Yusuke Chiashi1, Kimihiko Kato1, Yoshihisa Iba1, Hiroshi Oka1, Shota Iizuka1, Hidehiro Asai1, Minoru Ogura1, Takumi Inaba1, Takahiro Mori1 (1.AIST)
Keywords:
semiconductor,quantum dot
FinFET型量子ドット素子において、複数のゲート電圧を変化させながらクーロン振動を測定し、量子ドットの動作特性を評価した。クーロン振動のゲート電圧依存性から、各ゲートとドット間の容量比を抽出し、それに基づいてドットの形成位置を推定できることを示した。この情報は適切な動作電圧条件の決定に活用できる。さらに本報告では、ゲート製造時のばらつきを考慮した電圧調整手法についても検討する。この結果は、集積化されたシリコン量子ビットの評価を自動化する上で、有用な知見である。