講演情報
[10a-N302-6]Fin型シリコン量子ドット素子の特性解析におけるVPG-VBGマップの活用
〇千足 勇介1、加藤 公彦1、射場 義久1、岡 博史1、飯塚 将太1、浅井 栄大1、小倉 実1、稲葉 工1、森 貴洋1 (1.産総研)
キーワード：
半導体、量子ドット
FinFET型量子ドット素子において、複数のゲート電圧を変化させながらクーロン振動を測定し、量子ドットの動作特性を評価した。クーロン振動のゲート電圧依存性から、各ゲートとドット間の容量比を抽出し、それに基づいてドットの形成位置を推定できることを示した。この情報は適切な動作電圧条件の決定に活用できる。さらに本報告では、ゲート製造時のばらつきを考慮した電圧調整手法についても検討する。この結果は、集積化されたシリコン量子ビットの評価を自動化する上で、有用な知見である。