[10a-N303-1~11] 10.4 Spintronics in semiconductor, topological material, superconductor, and multiferroics

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10a-N303-6] Circularly polarized electroluminescence properties of spin-polarized light-emitting diodes using multilayer InGaAs quantum dots

〇Itsu Tanaka¹, Daiki Mineyama¹, Ayano Morita¹, Hiroto Kise¹, Junichi Takayama¹, Akihiro Murayama¹, Satoshi Hiura¹ (1.IST, Hokkaido Univ.)

Keywords:

spin-polarized light-emitting diode,semiconductor quantum dot,spin injection

スピンLEDは次世代の省エネルギー情報処理基盤を支える光デバイスとして期待されているが、室温での高い発光効率と円偏光度の両立が課題である。本研究ではInGaAs量子ドットの積層数を変化させたスピンLEDを作製し、室温でEL特性を評価した。多層化によって量子ドットへの電子注入効率が向上し、発光効率とEL円偏光度が増加した。量子ドット活性層の多層化は、室温での高効率なスピン偏極発光の実現に有効である。