[10a-N401-1~9] 13.3 Insulator technology

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)

[10a-N401-2] Intrinsic stress of thermal oxide film on Si(100) surface and emission of self-interstitials

〇Eiji Kamiyama^1,2, Koji Sueoka² (1.GlobalWafers Japan Co., Ltd., 2.Okayama Pref. Univ.)

Keywords:

silicon,Thermal Oxidation,First Principles Calculation

熱酸化膜は酸化性ガス雰囲気内にSiウェーハを一定時間高温に保持して形成されるため，成膜後に室温に戻して測定される応力は，形成された酸化膜とSiの熱膨張係数差分の応力が加わった値となる．本講演では，この熱膨張係数差分の応力を室温における測定値から除いた熱酸化膜の真性応力について．理論的に解析することを試みる．