講演情報
[10a-N401-2]Si(100)表面の熱酸化膜の真性応力と格子間Si放出
〇神山 栄治1,2、末岡 浩治2 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県立大情報工)
キーワード：
シリコン、熱酸化、第一原理計算
熱酸化膜は酸化性ガス雰囲気内にSiウェーハを一定時間高温に保持して形成されるため，成膜後に室温に戻して測定される応力は，形成された酸化膜とSiの熱膨張係数差分の応力が加わった値となる．本講演では，この熱膨張係数差分の応力を室温における測定値から除いた熱酸化膜の真性応力について．理論的に解析することを試みる．