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[10a-N401-7]Evaluation of HfO2/Si MOS Interface Properties on Si(110) Vicinal Substrates
〇Ryotaro Shimura1, Eishin Nako1, Koji Matsumoto2, Akihiro Suzuki2, Hiroaki Yamamoto2, Kazuhito Matsukawa2, Mitsuru Takenaka1, Shinichi Takagi1, Kasidit Toprasertpong1 (1.Uinv. Tokyo, 2.SUMCO Corp.)
Keywords:
Si (110),off-axis,density of interface trap
近年のFinFETやGAAFETに代表される最先端Si MOSFETにおいて、チャネル面としてSi(110)面が注目されている。従来用いられてきた(100)面は界面準位密度が低く電子移動度が比較的高い点で優れている一方、(110)面は正孔移動度が高く電子移動度とのバランスが良いため、キャリア輸送の対称性に優れる。実際のデバイス作製では、一般的にエピタキシャル成長等の工程上の制約からチャネル面にオフ角が付加されるが、Si(110)面の微小オフ角の影響は調べられていなかった。前回の応用物理学会ではSiO2ゲート絶縁膜の界面特性のオフ角依存性を調べ報告したが、本研究では、実用的なHigh-k絶縁膜であるHfO2を用いて、Si(110)面のオフ角がHfO2/Siの界面特性に与える影響を調べたので報告する。