講演情報
[10a-N401-7]Si(110)微傾斜基板上のHfO2/Si MOS界面特性の評価
〇志村 瞭太朗1、名幸 瑛心1、松本 光二2、鈴木 陽洋2、山本 博昭2、松川 和人2、竹中 充1、高木 信一1、ﾄｰﾌﾟﾗｻｰﾄﾎﾟﾝ ｶｼﾃﾞｨｯﾄ1 (1.東大院工、2.株式会社SUMCO)
キーワード：
Si (110)、オフ角、界面準位密度
近年のFinFETやGAAFETに代表される最先端Si MOSFETにおいて、チャネル面としてSi(110)面が注目されている。従来用いられてきた(100)面は界面準位密度が低く電子移動度が比較的高い点で優れている一方、(110)面は正孔移動度が高く電子移動度とのバランスが良いため、キャリア輸送の対称性に優れる。実際のデバイス作製では、一般的にエピタキシャル成長等の工程上の制約からチャネル面にオフ角が付加されるが、Si(110)面の微小オフ角の影響は調べられていなかった。前回の応用物理学会ではSiO2ゲート絶縁膜の界面特性のオフ角依存性を調べ報告したが、本研究では、実用的なHigh-k絶縁膜であるHfO2を用いて、Si(110)面のオフ角がHfO2/Siの界面特性に与える影響を調べたので報告する。