Presentation Information
[10a-N402-10]Radiation-Based Evaluation of the Onset of Compositional Grading Non-Uniformity in the SGB Layer Caused by Dislocation Slip Plane Anisotropy in Lattice-Mismatched InGaAs Solar Cells
〇Naoki Hashimoto1, Akio Ogura2, Mitsuru Imaizumi3, Hidetoshi Suzuki1 (1.Miyazaki Univ., 2.Tsukuba Univ, 3.Sanjo City Univ)
Keywords:
X-ray diffraction,Reciprocal Space Mapping
格子不整合系3接合InGaP/GaAs/InGaAs太陽電池のウェハ面内で電気的特性がばらつくという問題がある。この原因として格子不整合となるGaAs/InGaAsの間に挿入されているInGaP傾斜組成バッファー(SGB)層において転位すべり面の分布が不均一となる点が指摘されている。そこで本研究ではInGaAs太陽電池の転位すべり面の分布不均一発生の起源を明らかにするため高輝度なX線を利用し複数の太陽電池セルに対して多数の測定を行いすべり面不均一の発生箇所の違いを考察した