講演情報
[10a-N402-10]格子不整合系InGaAs太陽電池転位すべり面の異方性によるSGB層傾斜不均一の発生位置
の放射線を用いた評価
〇橋本 直樹1、小倉 暁雄2、今泉 充3、鈴木 秀俊1 (1.宮崎大工、2.筑波大、3.三条市立大)
キーワード：
Ｘ線回折、逆格子空間マッピング
格子不整合系3接合InGaP/GaAs/InGaAs太陽電池のウェハ面内で電気的特性がばらつくという問題がある。この原因として格子不整合となるGaAs/InGaAsの間に挿入されているInGaP傾斜組成バッファー(SGB)層において転位すべり面の分布が不均一となる点が指摘されている。そこで本研究ではInGaAs太陽電池の転位すべり面の分布不均一発生の起源を明らかにするため高輝度なX線を利用し複数の太陽電池セルに対して多数の測定を行いすべり面不均一の発生箇所の違いを考察した