Presentation Information
[10a-N402-11]Effects of distance between holes of Porous Si substrate on GaAs thin film growth
〇Momoko Sakuma1, Ryunosuke Minamoto1, Hidetoshi Suzuki1 (1.Miyazaki Univ.)
Keywords:
Porous silicon
Si基板上のGaAs薄膜成長は低コストかつ高効率の太陽電池の実現のために期待されているが、格子定数差および熱膨張係数差に起因した応力による欠陥形成により実用化には至っておらず、これらの応力を基板側で緩和させる必要がある。本研究では、GaAs/Porous Si(多孔質Si)成長においてPorous Si基板の孔間距離が成長層の歪み量に与える影響を解明することを目的とした。