[10a-N402-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

11:45 〜 12:00

[10a-N402-11] Porous Si基板の孔間距離がGaAs薄膜成長に与える影響

〇佐久間 桃子¹、源 龍之介¹、鈴木 秀俊¹ (1.宮崎大工)

キーワード：

Porous Si

Si基板上のGaAs薄膜成長は低コストかつ高効率の太陽電池の実現のために期待されているが、格子定数差および熱膨張係数差に起因した応力による欠陥形成により実用化には至っておらず、これらの応力を基板側で緩和させる必要がある。本研究では、GaAs/Porous Si(多孔質Si)成長においてPorous Si基板の孔間距離が成長層の歪み量に与える影響を解明することを目的とした。