[10a-N402-1~11] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10a-N402-2] Selective-area growth of InGaAs nanowire on SOI with SiON/W/SiO₂ multi-layer mask

〇Keita Taniyama¹, Yuki Azuma¹, Kai Fujimoto¹, Junichi Motohisa¹, Katsuhiro Tomioka¹ (1.GS of IST and RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:

Semiconductor Nanowire,III-V,MOCVD

FETの消費電力を削減するためには、ゲート構造・チャネル材料に加え、スイッチ機構に新技術を導入する必要がある。III-V NW VGAAトンネルFETはこの課題を解決可能な新しい低電力スイッチ素子であり、本素子の集積回路応用のためには、電極構造とチャネル材料を一括して集積する技術が必要である。本報告では、高融点金属を有するSiON/W/SiO₂多層膜マスクSOI基板上のIII-V NW選択成長技術の検討を行った。