講演情報
[10a-N402-2]SiON/W/SiO2多層膜マスクを用いたSOI上InGaAsナノワイヤ選択成長
〇谷山 慶太1、東 佑樹1、藤本 開1、本久 順一1、冨岡 克広1 (1.北大院情報科学および量子集積センター)
キーワード：
半導体ナノワイヤ、III-V、MOCVD
FETの消費電力を削減するためには、ゲート構造・チャネル材料に加え、スイッチ機構に新技術を導入する必要がある。III-V NW VGAAトンネルFETはこの課題を解決可能な新しい低電力スイッチ素子であり、本素子の集積回路応用のためには、電極構造とチャネル材料を一括して集積する技術が必要である。本報告では、高融点金属を有するSiON/W/SiO2多層膜マスクSOI基板上のIII-V NW選択成長技術の検討を行った。