[10a-N402-1~11] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10a-N402-4] Thermal annealing effect of InAs nanowires by selective-area growth

〇Doma Hachimiya^1,2, Yuki Azuma^1,2, Keita Taniyama^1,2, Ryosei Uchida^1,2, Katsuhiro Tomioka^1,2, Junichi Motohisa^1,2 (1.Hokkaido Univ., 2.RCIQE)

Keywords:

MOVPE,III-V compounds,nanowire

選択成長法は、リソグラフィの最小分解能とエッチング工程で、NW径が決定されるため、原子層スケールの径を有したNWチャネル成長が困難である。そこで選択成長法に熱処理エッチング工程を導入することで、極微細III-V NWチャネルを形成できると着想した。講演では、MOVPE選択成長法によるInAs NW成長工程において、熱処理エッチングによるNW直径の微細化について検討したので報告する。