講演情報
[10a-N402-4]InAsナノワイヤ選択成長における熱処理エッチングの検討
〇八宮 道馬1,2、東 佑樹1,2、谷山 慶太1,2、内田 凌聖1,2、冨岡 克広1,2、本久 順一1,2 (1.北海道大、2.RCIQE)
キーワード：
MOVPE、III-V族、ナノワイヤ
選択成長法は、リソグラフィの最小分解能とエッチング工程で、NW径が決定されるため、原子層スケールの径を有したNWチャネル成長が困難である。そこで選択成長法に熱処理エッチング工程を導入することで、極微細III-V NWチャネルを形成できると着想した。講演では、MOVPE選択成長法によるInAs NW成長工程において、熱処理エッチングによるNW直径の微細化について検討したので報告する。