Presentation Information
[10a-N402-5]Utilization of droplet etching for a 100% yield of vertical GaAs nanowires on 2-inch SiOx/Si(111) wafers
〇Keisuke Minehisa1, Mahiro Sano1, Sota Wajima1, Takuto Goto1, Kaito Nakama1, Fumitaro Ishikawa1 (1.Hokkaido Univ. RCIQE)
Keywords:
nanowire,III-V compound semiconductor,molecular beam epitaxy (MBE)
III–V族半導体であるGaAsナノワイヤ(NW)のSi上への集積は、成熟したSi技術に優れた電気的・光学的特性を付与できることから、次世代デバイスへの応用が期待されている。今回、Si基板表面に存在するSiOxへのナノホール形成とNWの核形成を独立に制御可能なドロップレットエッチング(DE)を導入し、収率100％を目指した高密度垂直NWの大面積成長を試みた。DE時のGa照射時間の最適化により、2インチSi(111)基板全面で高密度(108 cm-2以上）、且つ99%以上の垂直収率を有するGaAs NWを成長した。