講演情報
[10a-N402-5]２インチSiOx/Si(111)ウエハ上垂直GaAsナノワイヤの100%収率に向けたドロップレットエッチングの活用
〇峰久 恵輔1、佐野 真浩1、和島 颯汰1、後藤 拓翔1、中間 海音1、石川 史太郎1 (1.北大量集セ)
キーワード：
ナノワイヤ、III–V族化合物半導体、分子線エピタキシー
III–V族半導体であるGaAsナノワイヤ(NW)のSi上への集積は、成熟したSi技術に優れた電気的・光学的特性を付与できることから、次世代デバイスへの応用が期待されている。今回、Si基板表面に存在するSiOxへのナノホール形成とNWの核形成を独立に制御可能なドロップレットエッチング(DE)を導入し、収率100％を目指した高密度垂直NWの大面積成長を試みた。DE時のGa照射時間の最適化により、2インチSi(111)基板全面で高密度(108 cm-2以上）、且つ99%以上の垂直収率を有するGaAs NWを成長した。