[10a-N402-1~11] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10a-N402-9] MBE growth of GaSb nanowires using HSQ mask

〇(D)Soh Komatsu¹, Masashi Akabori¹ (1.CNMT, JAIST)

Keywords:

GaSb,Nanowire,Vapor-Liquid-Solid growth (VLS growth)

GaSbはIII-V族半導体の中で最も高い正孔移動度を有しており、p型半導体材料として注目されている。しかし、Sbのアンチサーファクタント効果により1次元成長が阻害されてしまうためにGaSbナノワイヤの成長は難しく、わずかな報告例しかない。本研究では、HSQマスクを用いてGaAs(001)基板表面にGaSbナノワイヤをMBE成長することに成功したのでそれを報告する。