[10a-N402-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[10a-N402-9] HSQマスクを用いたGaSbナノワイヤのMBE成長

〇(D)小松 颯¹、赤堀 誠志¹ (1.北陸先端大ナノセ)

キーワード：

GaSb、ナノワイヤ、気相-液相-固相成長

GaSbはIII-V族半導体の中で最も高い正孔移動度を有しており、p型半導体材料として注目されている。しかし、Sbのアンチサーファクタント効果により1次元成長が阻害されてしまうためにGaSbナノワイヤの成長は難しく、わずかな報告例しかない。本研究では、HSQマスクを用いてGaAs(001)基板表面にGaSbナノワイヤをMBE成長することに成功したのでそれを報告する。