Presentation Information
[10a-P04-11]Study on resonant tunneling diodes based on polarization-matched epitaxial structures with multicomponent group-III nitrides (2)
〇(M1)hikaru imaizumi1, akira mase1, takashi egawa1, makoto miyoshi1 (1.Nagoya Institute of Tech)
Keywords:
Resonant Tunneling Diode: RTD,Gallium nitride
窒化物系材料の分極が共鳴トンネルダイオードの特性に影響を及ぼす事も示唆されている。我々は、このようなGaN系RTDの課題に鑑み、四元AlGaInN量子井戸とAlInN障壁層を備えた分極整合構造の二重障壁RTDを考案した。本研究では、前回に引き続き、AlGaInN/AlInN分極整合RTD（PM-RTD）についてより詳細なデバイスシミュレーションを実施したので報告する。