講演情報
[10a-P04-11]多元系III族窒化物による分極整合エピタキシャル構造を用いた
共鳴トンネルダイオードの検討（２）
〇(M1)今泉 輝1、間瀬 晃1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大)
キーワード：
共鳴トンネルダイオード、GaN
窒化物系材料の分極が共鳴トンネルダイオードの特性に影響を及ぼす事も示唆されている。我々は、このようなGaN系RTDの課題に鑑み、四元AlGaInN量子井戸とAlInN障壁層を備えた分極整合構造の二重障壁RTDを考案した。本研究では、前回に引き続き、AlGaInN/AlInN分極整合RTD（PM-RTD）についてより詳細なデバイスシミュレーションを実施したので報告する。