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[10a-P04-15]Attempt to control p-GaN MOS interfaces by combining photoelectrochemical etching and 850℃ annealing
〇Masanobu Takahashi1, Takahiro Shimazaki1, Taketomo Sato1, Masamichi Akazawa1 (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)
Keywords:
GaN
p-GaN MOS 構造の容量－電圧（C–V）特性は負電圧方向に大幅にシフトする傾向がある。原因として GaN 表面近傍に窒素空孔欠陥（VN）によるドナー準位が発生している可能性が高い。本研究ではPEC エッチングとキャップアニールを組み合わせて p-GaN MOS 界面を制御することを試みた。