講演情報
[10a-P04-15]光電気化学エッチングと850℃アニールを組み合わせたp-GaN MOS界面の制御の試み
〇高橋 尚伸1、嶋崎 喬大1、佐藤 威友1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)
キーワード：
窒化ガリウム
p-GaN MOS 構造の容量－電圧（C–V）特性は負電圧方向に大幅にシフトする傾向がある。原因として GaN 表面近傍に窒素空孔欠陥（VN）によるドナー準位が発生している可能性が高い。本研究ではPEC エッチングとキャップアニールを組み合わせて p-GaN MOS 界面を制御することを試みた。