[10a-P04-1~22] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[10a-P04-16] Investigation of effects of 850℃ annealing prior to activation annealing on Mg-ion-implanted GaN using MOS structures

〇Hinata Karasawa¹, Masanobu Takahashi¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:

GaN

本報告では、Mgイオン注入後の不活性化熱処理に先行して850℃での表面近傍欠陥の予備的な回復を図る熱処理を行うことにより、表面近傍欠陥を制御する可能性について、MOS構造を用いて調べた。