[10a-P04-1~22] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[10a-P04-16] Mgイオン注入GaNに対する活性化熱処理前の850℃熱処理の効果についてのMOS構造を用いた評価

〇唐沢 陽向¹、高橋 尚伸¹、赤澤 正道¹ (1.北大量集センター)

キーワード：

窒化ガリウム

本報告では、Mgイオン注入後の不活性化熱処理に先行して850℃での表面近傍欠陥の予備的な回復を図る熱処理を行うことにより、表面近傍欠陥を制御する可能性について、MOS構造を用いて調べた。