[10a-P04-1~22] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[10a-P04-2] Leakage current increase of gamma-irradiated 4H-SiC JFET

〇Akinori Takeyama¹, Takahiro Makino¹, Shin-Ichiro Kuroki², Yasunori Tanaka³, Takeshi Ohshima¹ (1.QST, 2.Hiroshima Univ., 3.AIST)

Keywords:

silicon carbide,junction field effect transistor,gamma-rays

炭化ケイ素接合型電界効果トランジスタ（SiCJFET）を数MGy（メガグレイ）の高線量ガンマ線に暴露すると、しきい値電圧（V_th）の正電圧シフトとリーク電流増加が起こることをこれまで報告しているが、後者の起源は不明であった。そこで改めてガンマ線照射後のSiC JFETについて、なぜリーク電流が増加するのか調べた。