講演情報
[10a-P04-2]ガンマ線照射による4H-SiC JFETのリーク電流増加
〇武山 昭憲1、牧野 高紘1、黒木 伸一郎2、田中 保宣3、大島 武1 (1.量研、2.広島大RISE、3.産総研)
キーワード：
炭化ケイ素、接合型電界効果トランジスタ、ガンマ線
炭化ケイ素接合型電界効果トランジスタ（SiCJFET）を数MGy（メガグレイ）の高線量ガンマ線に暴露すると、しきい値電圧（Vth）の正電圧シフトとリーク電流増加が起こることをこれまで報告しているが、後者の起源は不明であった。そこで改めてガンマ線照射後のSiC JFETについて、なぜリーク電流が増加するのか調べた。