Presentation Information
[10a-P04-22]Mist Thermal Oxidation of GaN Surface for Mist Etching
〇Takumi Hirakura1, Thin Nu Soe1, Ryosuke Hamasuna1, Yusui Nakamura1, Zenji Yatabe1 (1.Kumamoto Univ.)
Keywords:
Mist-CVD,GaN,Thermal Oxidation
ミストエッチングはエッチング溶液を超音波でミスト化し化学反応によりエッチングを行うため、プラズマを使用せず低ダメージ・低コストでのエッチングが期待できる。ミストエッチングは(Al)GaN表面で酸化とエッチングの二段階の反応が同時に起こることでエッチングが進行する可能性があるため、本研究ではミストエッチングの基礎検討としてGaN表面をミスト熱酸化し、GaNの酸化層である酸化ガリウム(Ga2O3)のエッチングを試みた。