講演情報
[10a-P04-22]ミストエッチングに向けたGaN表面のミスト熱酸化
〇平倉 拓海1、Soe Thin Nu1、濵砂 涼介1、中村 有水1、谷田部 然治1 (1.熊本大)
キーワード：
ミストCVD、窒化ガリウム、熱酸化
ミストエッチングはエッチング溶液を超音波でミスト化し化学反応によりエッチングを行うため、プラズマを使用せず低ダメージ・低コストでのエッチングが期待できる。ミストエッチングは(Al)GaN表面で酸化とエッチングの二段階の反応が同時に起こることでエッチングが進行する可能性があるため、本研究ではミストエッチングの基礎検討としてGaN表面をミスト熱酸化し、GaNの酸化層である酸化ガリウム(Ga2O3)のエッチングを試みた。