Presentation Information
[10a-P04-6]Theoretical analysis for structural stability and band alignments at nitrogen incorporated 4H-SiC/SiO2 interface
〇Naoto Ise1, Toru Akiyama1, Tetsuo Hatakeyama2, Kenji Shiraishi3, Takashi Nakayama4 (1.Mie Univ., 2.Toyama Pref. Univ., 3.Tohoku Univ., 4.Chiba Univ.)
Keywords:
SiC,MOSFET,NO-POA
SiCはMOSFETへの応用が期待されている。しかし、熱酸化時にSiC/SiO2界面において界面準位が発生し、SiC-MOSFETの性能を劣化させてしまうことが課題となっている。この課題を解決する方法として、NO分子を用いたアニーリング(NO-POA)が広く適応されている。本研究では、NOアニーリング後の4H-SiC/ SiO2界面に注目し、その界面構造の安定性を明らかにして窒素導入によるバンド配列への影響を評価し、さらに双極子の形成との関係性ついても検討する。