講演情報
[10a-P04-6]4H-SiC/SiO2界面の構造安定性およびバンド配列の理論解析：
NOアニーリングの影響
〇伊勢 直斗1、秋山 亨1、畠山 哲夫2、白石 賢二3、中山 隆史4 (1.三重大院工、2.富山県立大工、3.東北大CIES、4.千葉大理)
キーワード：
SiC、MOSFET、NOアニーリング
SiCはMOSFETへの応用が期待されている。しかし、熱酸化時にSiC/SiO2界面において界面準位が発生し、SiC-MOSFETの性能を劣化させてしまうことが課題となっている。この課題を解決する方法として、NO分子を用いたアニーリング(NO-POA)が広く適応されている。本研究では、NOアニーリング後の4H-SiC/ SiO2界面に注目し、その界面構造の安定性を明らかにして窒素導入によるバンド配列への影響を評価し、さらに双極子の形成との関係性ついても検討する。