Presentation Information
[10a-P05-11]Design of Semipolar (1-101) InGaN Red Quantum Well Considering In Segregation
〇Kosuke Uchihara1, Yuki Sano1, Masahiro Uemukai1, Tomoyuki Tanikawa1, Ryuji Katayama1 (1.The Univ. of Osaka)
Keywords:
Micro LED,Semipolar
次世代マイクロLEDディスプレイの低コスト化にはモノリシック構造が求められるが、従来のc面InGaNを用いたものでは赤色発光効率の改善が課題である。原因としてピエゾ電界やIn偏析の影響が考えられる。我々はピエゾ電界を低減し発光効率の向上が期待できる半極性(1-101)GaNに着目した。本研究では、半極性InGaN赤色量子井戸の電子と正孔の波動関数と重なり積分を評価し、In偏析やAlN中間層の効果を検討した。