講演情報
[10a-P05-11]In偏析を考慮した半極性(1-101)InGaN赤色量子井戸の設計
〇内原 康佑1、佐野 友軌1、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 (1.阪大院工)
キーワード：
マイクロLED、半極性
次世代マイクロLEDディスプレイの低コスト化にはモノリシック構造が求められるが、従来のc面InGaNを用いたものでは赤色発光効率の改善が課題である。原因としてピエゾ電界やIn偏析の影響が考えられる。我々はピエゾ電界を低減し発光効率の向上が期待できる半極性(1-101)GaNに着目した。本研究では、半極性InGaN赤色量子井戸の電子と正孔の波動関数と重なり積分を評価し、In偏析やAlN中間層の効果を検討した。