Presentation Information
[10a-P05-13]Effects of the Distance between Point Seeds on the Threading Dislocation Density in GaN Crystals Grown by the Na-flux Method
〇Ryotaro Sasaki1, Masayuki Imanishi1, Kosuke Murakami1, Shigeyoshi Usami1, Mihoko Maruyama1, Masashi Yoshimura1,2, Yusuke Mori1 (1.Grad. Sch. of Eng., The Univ. of Osaka, 2.ILE, The Univ. of Osaka)
Keywords:
Na-flux,GaN,dislocation
我々は、Naフラックスポイントシード法を用いて、大口径・低転位密度のGaNウエハを作製してきた。しかし当該手法では、ポイントシード（PS）と呼ばれる微小種結晶が合体する箇所に高転位領域が生じることが問題となっている。そこで本研究では、PSの間隔に注目し、転位密度への依存性を調査した。その結果、さらなる転位低減に向けた新たな知見を得た。