[10a-P05-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

[10a-P05-13] Effects of the Distance between Point Seeds on the Threading Dislocation Density in GaN Crystals Grown by the Na-flux Method

〇Ryotaro Sasaki¹, Masayuki Imanishi¹, Kosuke Murakami¹, Shigeyoshi Usami¹, Mihoko Maruyama¹, Masashi Yoshimura^1,2, Yusuke Mori¹ (1.Grad. Sch. of Eng., The Univ. of Osaka, 2.ILE, The Univ. of Osaka)

Keywords:

Na-flux,GaN,dislocation

我々は、Naフラックスポイントシード法を用いて、大口径・低転位密度のGaNウエハを作製してきた。しかし当該手法では、ポイントシード（PS）と呼ばれる微小種結晶が合体する箇所に高転位領域が生じることが問題となっている。そこで本研究では、PSの間隔に注目し、転位密度への依存性を調査した。その結果、さらなる転位低減に向けた新たな知見を得た。