講演情報
[10a-P05-13]Naフラックス法におけるポイントシード間距離がGaN結晶転位密度に与える影響
〇佐々木 稜太郎1、今西 正幸1、村上 航介1、宇佐美 茂佳1、丸山 美帆子1、吉村 政志1,2、森 勇介1 (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)
キーワード：
Naフラックス、窒化ガリウム、転位
我々は、Naフラックスポイントシード法を用いて、大口径・低転位密度のGaNウエハを作製してきた。しかし当該手法では、ポイントシード（PS）と呼ばれる微小種結晶が合体する箇所に高転位領域が生じることが問題となっている。そこで本研究では、PSの間隔に注目し、転位密度への依存性を調査した。その結果、さらなる転位低減に向けた新たな知見を得た。