Presentation Information
[10a-P05-15]Growth of GaN layer by plasma-enhanced LPE method(Ⅴ)
〇(M1)Fusuke Matsumura1, Haruki Nakagawa1, Daiki Hirose1, Keisuke Yoshida1, Hiroyuki Shinoda1, Nobuki Mutsukura1 (1.Tokyo Denki Univ.)
Keywords:
Gallium Nitride,thin film,sputter
我々は，プラズマLPE（Plasma-enhanced LPE）法を用いたGaN層の成長について検討を行っている．本方法は，基板上に液体Gaを堆積したのち，窒素プラズマ中のN原子を液体Gaへ供給することでGaN層を成長することができる．しかしながら，GaN層の膜厚はGaの量で制限されてしまい，Gaが枯渇するとGaN層の成長は行われなくなる．そこで今回は，プラズマLPE法において連続的にGaN層を成長させるため，Ar(6-N) /N2(6-N)混合ガスを用いてGaのスパッタリングを併用しながらGaN層のLPE成長を行い，その有効性について検討を行ったので報告する．