講演情報
[10a-P05-15]プラズマLPE法によるGaN層の成長（Ⅴ）
〇(M1)松村 風翼1、中川 治紀1、廣瀬 大輝1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
キーワード：
窒化ガリウム、薄膜、スパッタリング
我々は，プラズマLPE（Plasma-enhanced LPE）法を用いたGaN層の成長について検討を行っている．本方法は，基板上に液体Gaを堆積したのち，窒素プラズマ中のN原子を液体Gaへ供給することでGaN層を成長することができる．しかしながら，GaN層の膜厚はGaの量で制限されてしまい，Gaが枯渇するとGaN層の成長は行われなくなる．そこで今回は，プラズマLPE法において連続的にGaN層を成長させるため，Ar(6-N) /N2(6-N)混合ガスを用いてGaのスパッタリングを併用しながらGaN層のLPE成長を行い，その有効性について検討を行ったので報告する．