[10a-S102-1~9] 17.3 Layered materials

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)

[10a-S102-2] P-type nitrogen doping activated by sulfur-vapor annealing from crystalized WS₂ film

〇Kaede Teraoka¹, Soma Ito¹, Jaehyo Jang¹, Naoki Matsunaga¹, Shunsuke Nozawa¹, Taiga Fuse¹, Takuya Hoshii¹, Kuniyuki Kakushima¹, Hitoshi Wakabayashi² (1.Science Tokyo, 2.Science Tokyo IIR)

Keywords:

tungsten disulfide,Transition metal dichalcogenide

TMDCのデバイスへの応用にあたりドーピング方法の確立は達成するべき課題である 。WS₂は硫黄を窒素で置換することで、p型にドーピングされる。また、PVD法により成膜されたWS₂膜に対して硫黄雰囲気中アニール(SVA)は結晶化や硫黄欠陥の補填、ドーパントの活性化ができると確かめられている。本研究では結晶性の異なるPVD-WS₂膜へ窒素プラズマ処理とSVAをし置換ドーピングの達成と評価を試みた。