講演情報
[10a-S102-2]硫黄雰囲気中アニールで窒素ドーピングした結晶WS2膜のp型化
〇寺岡 楓1、伊東 壮真1、Jang Jaehyo1、松永 尚樹1、野澤 俊輔1、布施 太翔1、星井 拓也1、角嶋 邦之1、若林 整2 (1.東京科学大学、2.東京科学大学総合研究院)
キーワード：
二硫化タングステン、遷移金属ダイカルコゲナイド
TMDCのデバイスへの応用にあたりドーピング方法の確立は達成するべき課題である 。WS2は硫黄を窒素で置換することで、p型にドーピングされる。また、PVD法により成膜されたWS2膜に対して硫黄雰囲気中アニール(SVA)は結晶化や硫黄欠陥の補填、ドーパントの活性化ができると確かめられている。本研究では結晶性の異なるPVD-WS2膜へ窒素プラズマ処理とSVAをし置換ドーピングの達成と評価を試みた。