[10a-S102-1~9] 17.3 Layered materials

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10a-S102-3] Esaki Diode device evaluation using highly substitutional doped WSe₂

〇Toshinari Sugiyama¹, Satoru Morito², Tomonori Nishimura¹, Kaito Kanahashi¹, Takashi Taniguchi³, Kenji Watanabe³, Keiji Ueno², Kosuke Nagashio¹ (1.UTokyo, 2.Saitama Univ., 3.NIMS)

Keywords:

2D semiconductor,WSe2,doping

超低消費電力トンネルFETの実現には2D半導体が有望であり，実用化には元素置換ドーピング技術の確立が必要である．我々はWSe₂のCVT合成の検証を通じ，Re2%で4.7×10¹⁹ cm^-3の電子密度を達成したが，完全な縮退には至らなかった．そこで本研究では，不純物仕込量の増大によるキャリア密度の向上，及び Re/Nb 置換ドープWSe₂で構成されたEsakiダイオードによって縮退度の理解を試みた．