Presentation Information
[10a-S102-3]Esaki Diode device evaluation using highly substitutional doped WSe2
〇Toshinari Sugiyama1, Satoru Morito2, Tomonori Nishimura1, Kaito Kanahashi1, Takashi Taniguchi3, Kenji Watanabe3, Keiji Ueno2, Kosuke Nagashio1 (1.UTokyo, 2.Saitama Univ., 3.NIMS)
Keywords:
2D semiconductor,WSe2,doping
超低消費電力トンネルFETの実現には2D半導体が有望であり，実用化には元素置換ドーピング技術の確立が必要である．我々はWSe2のCVT合成の検証を通じ，Re2%で4.7×1019 cm-3の電子密度を達成したが，完全な縮退には至らなかった．そこで本研究では，不純物仕込量の増大によるキャリア密度の向上，及び Re/Nb 置換ドープWSe2で構成されたEsakiダイオードによって縮退度の理解を試みた．