講演情報
[10a-S102-3]高濃度置換ドープ WSe2による Esaki Diode デバイス評価
〇杉山 紀成1、森戸 智2、西村 知紀1、金橋 魁利1、谷口 尚3、渡邊 賢司3、上野 啓司2、長汐 晃輔1 (1.東大マテ工、2.埼玉大院理工、3.NIMS)
キーワード：
二次元半導体、WSe2、ドーピング
超低消費電力トンネルFETの実現には2D半導体が有望であり，実用化には元素置換ドーピング技術の確立が必要である．我々はWSe2のCVT合成の検証を通じ，Re2%で4.7×1019 cm-3の電子密度を達成したが，完全な縮退には至らなかった．そこで本研究では，不純物仕込量の増大によるキャリア密度の向上，及び Re/Nb 置換ドープWSe2で構成されたEsakiダイオードによって縮退度の理解を試みた．