[10a-S102-1~9] 17.3 Layered materials

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10a-S102-5] Composition Ratio x Control in Layered Metal Ni_xNb_1-xS₂ and Contact Formation Technology for Monolayer MoS₂-channel nFETs

〇Koki Hori^1,2, Wen-Hsin Chang¹, Toshifumi Irisawa¹, Atsushi Ogura^2,3, Naoya Okada¹ (1.SFRC, AIST, 2.Meiji Univ., 3.MREL)

Keywords:

TMDC,MoS2,H2S

TMDCチャネルのトランジスタの高性能化には、ソース／ドレイン部でのコンタクト抵抗低減が必要である。本発表では、単層MoS₂上のNi/Nb積層の膜厚比を調整することで、H₂S熱処理後に形成される二次元層状金属Ni_xNb_1-xS₂の組成比xを制御できることを示す。さらに、単層MoS₂チャネルnFETsのコンタクト部へNi_xNb_1-xS₂を適用し、組成比xとオン電流との関係性を議論することで、二次元層状金属Ni_xNb_1-xS₂のコンタクト材料としての有用性を示す。