[10a-S102-1~9] 17.3 層状物質

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[10a-S102-5] 二次元層状金属Ni_xNb_1-xS₂の組成比x制御と単層MoS₂-nFETsへのコンタクト形成技術

〇堀 幸妃^1,2、張 文馨¹、入沢 寿史¹、小椋 厚志^2,3、岡田 直也¹ (1.産総研 SFRC、2.明治大理工、3.明大MREL)

キーワード：

TMDC、MoS2、H2S

TMDCチャネルのトランジスタの高性能化には、ソース／ドレイン部でのコンタクト抵抗低減が必要である。本発表では、単層MoS₂上のNi/Nb積層の膜厚比を調整することで、H₂S熱処理後に形成される二次元層状金属Ni_xNb_1-xS₂の組成比xを制御できることを示す。さらに、単層MoS₂チャネルnFETsのコンタクト部へNi_xNb_1-xS₂を適用し、組成比xとオン電流との関係性を議論することで、二次元層状金属Ni_xNb_1-xS₂のコンタクト材料としての有用性を示す。