Presentation Information
[10p-N105-8]Dislocation analysis of β-Ga2O3 substrates and epitaxial layers using reflection and transmission synchrotron X-ray topography
〇Yongzhao Yao1,2, Daiki Katsube2, Hirotaka Yamaguchi2, Yoshihiro Sugawara2, Yukari Ishikawa2, Kohei Sasaki3, Akito Kuramata3 (1.Mie Univ., 2.JFCC, 3.Novel Crystal Technology)
Keywords:
Ga2O3,X-ray topography,dislocation
結晶中の格子欠陥、特に転位は、β型Ga₂O₃のパワーデバイス性能に重大な影響を及ぼすことが知られている。したがって、高性能デバイスの実現には、転位の種類および分布を正確に把握するとともに、それに基づく低転位化技術の開発が不可欠である。本研究では、非破壊、大面積かつリアルタイムでの観察が可能な手法として、放射光X線トポグラフィー（XRT）を用いた転位評価技術の開発に取り組んだ。本発表では、反射配置および透過配置を用いたXRT測定で得られた、バルク基板およびエピ層における転位の空間分布と種類の解析結果を報告する。